250 x 250 Reklam Alanı

This post has already been read 378 times!

 Genelde her yeni iPhone modeli piyasaya sürüldüğünde A serisi yongasetinin nasıl bir performans verdiği araştırılır ve diğer tasarımcıların yongasetleriyle karşılaştırmaya tabi tutulur. A serisi yongasetinin Apple’ın bizzat kendi mühendisleri tarafından tasarlanıyor oluşu buna en büyük sebep. Bununla birlikte yeni iPhone modellerinde fark yaratan bir gelişme daha var.
Genelde tedarikçi ortaklarının gelişmiş depolama çözümlerini cihazlarında kullanan Apple, iPhone 6S serisi ile birlikte radikal bir değişikliğe gitti ve çeşitli dokunuşlar yaparak mobil cihazlarda pek rastlamadığımız yeni bir kombinasyonla karşımıza çıktı.
Kimilerine göre iPhone ailesindeki en büyük değişiklik olarak gösterilen bu yeni depolama çözümünde Apple, MacBook ailesindeki SSD kontrolcüsünü alarak akıllı telefonlarda kullanılacak şekilde optimize etmiş. Kontrolcü değişikliği yanında bazı temel dinamiklerde yapılan değişiklikler de depolama performansının patlama yapmasına neden olmuş.
Samsung Galaxy S6 ve sonrası amiral gemi modellerinde kullanılan UFS 2.0 teknolojisi standart olarak MIPI M-PHY fiziksel katmanı üzerinde SCSI protokolü ile çalışıyor. Apple’ın çözümü ise MIPI M-PHY fiziksel katmanı üzerinde PCI-E ve NVMe protokolünü kullanıyor. Elbette bu protokoller akıllı telefonlara göre optimize edilmiş durumda. 
Şimdiye kadar  PCI-E ve NVMe protokolü kullanan herhangi bir mobil depolama çözümü mevcut değildi. Apple bununla bir ilke imza atıyor. Bununla birlikte SanDisk, bu protokollerin mobil depolama alanında iyi bir avantaj sağlayacağını ve bu yönde kendi çalışmalarının da olduğunu yaz dönemindeki bir konferansta dile getirmişti. 
Bu iki önemli değişikliğin yanında NAND bellek kısmında da yenilik söz konusu. iPhone 6S donanımı incelendiğinde NAND bellekte 1Y128G-TLC-2P model numarasına rastlanmış. Bu model numarası SLC/TLC NAND melezi bir çözümün kullanıldığını gösteriyor. 
Yine SanDisk’in iNAND 732 eMMC belleğinde yer verdiği bu çözümde veri ilk etapta SLC önbellekte işleniyor ve TLC NAND meşgul edilmiyor. Eğer genel bantgenişliği talebi TLC NAND hızını aşmaz ise SLC önbelleği de kısa süreli işlem bantgenişliğini belli bir sınırda tutuyor. Böylece anlık veri artışlarında depolama kendisini daha iyi organize edebiliyor ve bu da transfer hızlarına olumlu olarak yansıyor.  
  Samsung’un kullandığı UFS 2.0 standardı teorik olarak sürekli yazma hızlarında 150MB/s, okuma hızlarında 350MB/s değerlerine ulaşıyordu. Yapılan testlerde pratikteki hızların daha düşük olduğu gözlemlenirken, iPhone 6S serisindeki yeni depolama çözümü adeta patlama yapıyor. 
StorageBench testlerine göre 256KB sıralı yazma hızlarında iPhone 6S Plus 163MB/s değerlerine ulaşıyor. Galaxy S6 ise 41MB/s civarında. Testte iPhone 6S Plus modeline en yakın sokur 87MB/s ile iPad Air 2 modeli alıyor.  
256KB sıralı okuma hızlarında ise iPhone 6S Plus modeli 402MB/s gibi oldukça yüksek bir seviyeye çıkıyor. Galaxy S6 modeli 209MB/s seviyesinde kalırken, iPhone 6 245MB/s, iPhone 6 Plus da 249MB/s değerlerine ulaşıyor. 
4K rastgele erişim performansında ise iPhone 6S serisinin biraz aşağılara doğru indiğini görüyoruz. Bunun en büyük sebebinin testteki sıra derinliğinin 1 olması ve PCB ölçülerinin çok fazla NAND katmanının çalışmasına izin vermemesi olarak gösteriliyor. 
Apple’ın bu yeni NAND depolama çözümünü sonraki modellerde daha da geliştireceği ve hız limitini yukarı çekeceği ifade ediliyor. Bu da iOS cihazlarında çok hızlı ve akıcı depolama performansı anlamına geliyor.   

Bu alana reklam verebilirsiniz!
468 x 60 Reklam Alanı